RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
71
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
71
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1979
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link