RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
65
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2041
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link