RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de 42% latence réduite
Raisons de considérer
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
65
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2041
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link