RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
65
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
3.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2041
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link