RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
44
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3146
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link