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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
4,806.8
17.5
写入速度,GB/s
2,784.6
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3510
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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