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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
15.6
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3136
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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