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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 52
    周辺 -73% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 3273

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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