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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.8
17.8
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3273
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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