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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.2
18.6
写入速度,GB/s
8.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3491
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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