RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 52
    周辺 -63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 2987

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
メモリRAM