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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
8.0
11.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2987
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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