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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
52
周辺 -79% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
29
読み出し速度、GB/s
9.8
13.6
書き込み速度、GB/秒
8.0
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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