Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 52
    Por volta de -79% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.9 left arrow 8.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    52 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.8 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.0 left arrow 9.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2179 left arrow 2419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações