Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

総合得点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 44

周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.5 11.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

44 32
読み出し速度、GB/s

11.2 15.5
書き込み速度、GB/秒

8.1 11.8
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2293 2968

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

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