RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 44
    周辺 -57% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 3305

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
メモリRAM
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
メモリRAM