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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
44
周辺 -33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
33
読み出し速度、GB/s
11.2
16.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2293
2941
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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