RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 44
    周辺 -100% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 2706

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
メモリRAM