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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 44
    周辺 -63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 2756

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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