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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 44
    周辺 -38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 3083

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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Super Talent F24UB16GV 16GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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