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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
相違点
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考慮すべき理由
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
44
周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
37
読み出し速度、GB/s
11.2
14.3
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2293
2422
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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