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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 78
    周辺 44% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 6.4
    テスト平均値
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 78
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 6.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 1584

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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