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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
総合得点
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
相違点
仕様
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
44
周辺 -29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
34
読み出し速度、GB/s
11.2
16.7
書き込み速度、GB/秒
8.1
10.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2293
2789
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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