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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Super Talent F24EB8GS 8GB 考慮すべき理由
Super Talent F24EB8GS 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 44
    周辺 -42% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 3017

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G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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