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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
総合得点
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
49
周辺 -40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
35
読み出し速度、GB/s
10.1
15.5
書き込み速度、GB/秒
7.8
13.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
3183
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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