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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
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Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 49
    周辺 -145% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.8 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 19.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 3470

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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