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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
比較する
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
5.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
49
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
25
読み出し速度、GB/s
10.1
12.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
5.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
2051
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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