RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    16 left arrow 49
    周辺 -206% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.3 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    21.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 16
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 22.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 21.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 3952

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
メモリRAM