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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 49
    周辺 -48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2900

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAMの比較

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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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