Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

総合得点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

バグを報告する

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 49

周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.8 10.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.4 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

49 34
読み出し速度、GB/s

10.1 15.8
書き込み速度、GB/秒

7.8 12.4
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2070 2902

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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