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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 49
    周辺 -104% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2852

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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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