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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB vs Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 47
    周辺 -7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 5.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 11.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1671 left arrow 2293

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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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