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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
47
54
周辺 13% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
9.9
9.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.5
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
14200
10600
周辺 1.34 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
54
読み出し速度、GB/s
9.3
9.9
書き込み速度、GB/秒
5.9
7.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
14200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1671
2159
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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