Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB против Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 54

Около 13% меньшая задержка

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

9.9 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.5 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

14200 10600

Около 1.34 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

47 54
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 9.9
Скорость записи, Гб/сек

5.9 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 14200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1671 2159

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

модули RAM