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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
47
周辺 -34% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
35
読み出し速度、GB/s
10.4
16.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
14.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
3423
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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