Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

総合得点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 47

周辺 -62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.4 10.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.2 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

47 29
読み出し速度、GB/s

10.4 17.4
書き込み速度、GB/秒

7.8 14.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2169 3398

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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