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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
17.4
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3398
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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