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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 47
    周辺 -81% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 3143

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Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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