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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
17.8
写入速度,GB/s
7.8
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3143
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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