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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
47
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
34
読み出し速度、GB/s
10.4
15.2
書き込み速度、GB/秒
7.8
11.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
2791
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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