Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

総合得点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

40 47

周辺 -18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.4 10.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.7 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

47 40
読み出し速度、GB/s

10.4 15.4
書き込み速度、GB/秒

7.8 12.7
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2169 2981

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

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Kingston HP669238-071-HYC 4GB

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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

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Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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Kingston 9905625-097.A00G 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

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