RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
51
周辺 -42% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
36
読み出し速度、GB/s
15.6
13.6
書き込み速度、GB/秒
11.8
8.7
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2231
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link