RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2231
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link