RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2231
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link