RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2231
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link