RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 47
    周辺 -88% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 3774

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB RAMの比較

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
メモリRAM