RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
47
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
19.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3774
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link