RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905703-009.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link