Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

総合得点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 47

周辺 -68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.2 10.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.7 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

47 28
読み出し速度、GB/s

10.4 16.2
書き込み速度、GB/秒

7.8 12.7
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2169 2417

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

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Kingston HP669238-071-HYC 4GB

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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

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Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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