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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
11.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
65
周辺 -141% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
1,574.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
27
読み出し速度、GB/s
3,858.9
11.4
書き込み速度、GB/秒
1,574.4
11.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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