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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston KYXC0V-MID 16GB 考慮すべき理由
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 47
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2903

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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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メモリRAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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